Mặc dù tán xạ không đàn hồi của phần tử ánh sáng, một hiện tượng được biết như tán xạ Raman, được tìm ra bởi C.V. Raman trong năm 1928, nhưng hiện tượng phi tuyến của tán xạ Raman kích thích không được chứng minh cho đến năm 1962. Không lâu sau đó, sợi quang silica suy hao thấp được sử dụng trong năm 1970, Roger Stolen và những người đồng nghiệp sử dụng tán xạ Raman kích thích trong nhiều sợi quang không chỉ cho khuếch đại của tín hiệu quang mà còn cho cấu tạo laser Raman sợi cơ sở. Khả năng của bộ khuếch đại Raman cho bù suy hao sợi quang trong hệ thống sóng ánh sáng được chứng minh trong những năm 1980 trong một vài thí nghiệm được làm bởi Linn Mollenauer và đồng nghiệp của ông. Tuy nhiên, những thí nghiệm này không phù hợp cho sự phát triển bộ khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang thương mại. Tiếp theo bộ khuếch đại sợi quang pha tạp Erbium có bơm sử dụng laser bán dẫn có tính thực tiễn hơn nên khuếch đại Raman đã bị bỏ qua suốt nhưng năm 1990.
Tuy nhiên, việc nghiên cứu laser bơm thích ứng cho khuếch đại Raman vẫn được tiến hành. Một vài công nghệ tiên tiến được tìm ra trong những năm 1990 giúp cho việc sản xuất ra laser bán dẫn đơn mode ngang có khả năng phát mức công suất vượt quá 0,2 W. Người ta cũng nhận thấy rằng một vài laser bơm có thể sử dụng tương thích tại bước sóng khác nhau và cung cấp độ khuếch đại Raman qua một băng tần rộng bao gồm cả băng truyền dẫn C và L. Hơn nữa, người ta cũng chế tạo ra bộ khuếch đại Raman phân bố có độ khuếch đại trên 10 km có nhiễu nhỏ hơn so với bộ khuếch đại sợi pha tạp Erbium có độ khuếch đại trên 10 mét. Khi laser bán dẫn công suất lớn có giá trị về thương mại vào cuối thế kỷ 20, bộ khuếch đại Raman đã được sử dụng trong một số thí nghiệm và thấy rằng nó cải thiện hiệu năng của hệ thống WDM. Tới năm 2003, việc sử dụng bộ khuếch đại Raman đã khá phổ biến cho hệ thống tầm xa được thiết kế để hoạt động qua hàng ngàn kilomet. Các bộ khuếch đại quang Raman có rất nhiều ưu điểm so với những loại khuếch đại quang đã được sử dụng trước đó và rất phù hợp với các hệ thống WDM đang được triển khai hiện nay. Các bộ khuếch đại quang Raman được coi là lời giải cho bài toán khuếch đại quang trong các hệ thống truyền dẫn quang dung lượng lớn, cự ly dài và rất dài.
Nhận thức được tầm quan trọng của khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang, nên em chọn đề tài “ Khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang” để làm đề tài đồ án tốt nghiệp.
Nội dung đồ án gồm 3 chương:
Chương 1: Giới thiệu tổng quan về khuếch đại quang: nguyên lý khuếch đại quang và một số tham số khuếch đại quang.
Chương 2: Trình bày về khuếch đại Raman: tán xạ Raman, ưu nhược điểm của khuếch đại Raman, nguyên lý khuếch đại Raman, bơm và phương trình tín hiệu, nhiễu trong khuếch đại Raman, phân loại các bộ khuếch đại Raman.
Chương 3: Trình bày ứng dụng của bộ khuếch đại Raman.
Mặc dù đã hết sức cố gắng nhưng do khuếch đại Raman là một vấn đề khó nên nội dung đồ án khó tránh khỏi các thiếu sót. Rất mong nhận được sự chỉ bảo, góp ý của các thầy, cô giáo, các bạn sinh viên để đồ án này được hoàn thiện hơn.
76 trang |
Chia sẻ: ngtr9097 | Lượt xem: 2567 | Lượt tải: 1
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Đề tài Khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
LỜI NÓI ĐẦU
Mặc dù tán xạ không đàn hồi của phần tử ánh sáng, một hiện tượng được biết như tán xạ Raman, được tìm ra bởi C.V. Raman trong năm 1928, nhưng hiện tượng phi tuyến của tán xạ Raman kích thích không được chứng minh cho đến năm 1962. Không lâu sau đó, sợi quang silica suy hao thấp được sử dụng trong năm 1970, Roger Stolen và những người đồng nghiệp sử dụng tán xạ Raman kích thích trong nhiều sợi quang không chỉ cho khuếch đại của tín hiệu quang mà còn cho cấu tạo laser Raman sợi cơ sở. Khả năng của bộ khuếch đại Raman cho bù suy hao sợi quang trong hệ thống sóng ánh sáng được chứng minh trong những năm 1980 trong một vài thí nghiệm được làm bởi Linn Mollenauer và đồng nghiệp của ông. Tuy nhiên, những thí nghiệm này không phù hợp cho sự phát triển bộ khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang thương mại. Tiếp theo bộ khuếch đại sợi quang pha tạp Erbium có bơm sử dụng laser bán dẫn có tính thực tiễn hơn nên khuếch đại Raman đã bị bỏ qua suốt nhưng năm 1990.
Tuy nhiên, việc nghiên cứu laser bơm thích ứng cho khuếch đại Raman vẫn được tiến hành. Một vài công nghệ tiên tiến được tìm ra trong những năm 1990 giúp cho việc sản xuất ra laser bán dẫn đơn mode ngang có khả năng phát mức công suất vượt quá 0,2 W. Người ta cũng nhận thấy rằng một vài laser bơm có thể sử dụng tương thích tại bước sóng khác nhau và cung cấp độ khuếch đại Raman qua một băng tần rộng bao gồm cả băng truyền dẫn C và L. Hơn nữa, người ta cũng chế tạo ra bộ khuếch đại Raman phân bố có độ khuếch đại trên 10 km có nhiễu nhỏ hơn so với bộ khuếch đại sợi pha tạp Erbium có độ khuếch đại trên 10 mét. Khi laser bán dẫn công suất lớn có giá trị về thương mại vào cuối thế kỷ 20, bộ khuếch đại Raman đã được sử dụng trong một số thí nghiệm và thấy rằng nó cải thiện hiệu năng của hệ thống WDM. Tới năm 2003, việc sử dụng bộ khuếch đại Raman đã khá phổ biến cho hệ thống tầm xa được thiết kế để hoạt động qua hàng ngàn kilomet. Các bộ khuếch đại quang Raman có rất nhiều ưu điểm so với những loại khuếch đại quang đã được sử dụng trước đó và rất phù hợp với các hệ thống WDM đang được triển khai hiện nay. Các bộ khuếch đại quang Raman được coi là lời giải cho bài toán khuếch đại quang trong các hệ thống truyền dẫn quang dung lượng lớn, cự ly dài và rất dài.
Nhận thức được tầm quan trọng của khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang, nên em chọn đề tài “ Khuếch đại Raman trong hệ thống thông tin quang” để làm đề tài đồ án tốt nghiệp.
Nội dung đồ án gồm 3 chương:
Chương 1: Giới thiệu tổng quan về khuếch đại quang: nguyên lý khuếch đại quang và một số tham số khuếch đại quang.
Chương 2: Trình bày về khuếch đại Raman: tán xạ Raman, ưu nhược điểm của khuếch đại Raman, nguyên lý khuếch đại Raman, bơm và phương trình tín hiệu, nhiễu trong khuếch đại Raman, phân loại các bộ khuếch đại Raman.
Chương 3: Trình bày ứng dụng của bộ khuếch đại Raman.
Mặc dù đã hết sức cố gắng nhưng do khuếch đại Raman là một vấn đề khó nên nội dung đồ án khó tránh khỏi các thiếu sót. Rất mong nhận được sự chỉ bảo, góp ý của các thầy, cô giáo, các bạn sinh viên để đồ án này được hoàn thiện hơn.
Em xin chân thành cảm ơn cô giáo, ThS. Nguyễn Thị Thu Nga đã nhiệt tình hướng dẫn em hoàn thành đồ án này.
Em xin cảm ơn các thầy, cô giáo trong bộ môn thông tin quang, khoa viễn thông đã dạy dỗ, dìu dắt em trong suốt 5 năm học vừa qua.
Xin cảm ơn gia đình, người thân và bạn bè đã động viên, giúp đỡ trong suốt thời gian qua.
Hà Nội, ngày tháng năm 2008
Sinh viên
Vương Thành Nam
MỤC LỤC
DANH MỤC HÌNH VẼ
Hình 1.1:Bộ lặp quang điện 1
Hình 1.2: Các hiện tượng biến đổi quang điện 2
Hình 1.3: Mối tương quan hệ số khuếch đại 5
Hình 1.4: Sự phụ thuộc của công suất ra (theo Ps) theo độ lợi G (theo G0) 6
Hình 1.5:Các ứng dụng khuếch đại 8
Hình 2.1:Cấu tạo của sợi quang 12
Hình 2.2:Cấu trúc tứ diện của Silic dioxide trong thuỷ tinh 12
Hình 2.3:Hệ số tán sắc của sợi quang SMF-28. 14
Hình 2.4: (a) Công suất truyền dọc theo sợi có chiều dài L(b) Mô hình tương ứng của chiều dài hiệu dụng. 15
Hình 2.5:Quá trình tán xạ ánh sáng 18
Hình 2.6:Tần số của ánh sáng tán xạ. 19
Hình 2.7:Giản đồ năng lượng quá trình tán xạ Raman. 20
Hình 2.8: Sơ đồ của hệ thống khuếch đại Raman phân bố (a) và hệ thống tương đương của băng truyền dẫn và bộ khuếch đại sợi Er pha tạp (b) 22
Hình 2.9: Độ khuếch đại được tổng hợp từ các bước sóng riêng lẻ ( 1420, 1435, 1450, 1465, và 1480nm), xếp chồng logarit của nó, và tổng hợp biểu đồ độ khuếch đại với sự tương tác bơm tới bơm cho băng 25km của sợi quang dịch tán sắc. Công suất bơm tương ứng là 61, 55, 48,47 và 142 mW. 24
Hình 2.10:Các công suất bơm khác nhau trong một hệ thống khuếch đại Raman. 25
Hình 2.11: So sánh giữa công suất bơm phát và độ khuếch đại cung cấp bởi mỗi bước sóng bơm. 25
Hình 2.12:Sơ đồ chuyển năng lượng trong khuếch đại Raman 26
Hình 2.13: Cấu trúc bộ khuếch đại Raman 27
Hình 2.14:Sơ đồ minh họa của quá trình tán xạ Raman từ quan điểm cơ học lượng tử. Một photon Stokes năng lượng giảm hωs được tạo tức thời khi một photon bơm có năng lượng hωp được nâng lên tới mức ảo như đường nét đứt. 28
Hình 2.15:Bộ khuếch đại Raman sợi quang cơ sở trong cấu hình bơm thuận. 29
Hình 2.16: Phổ độ khuếch đại Raman cho khối silica được đo khi bơm và tín hiệu không phân cực (nét liền) hoặc phân cực vuông góc (nét đứt). Độ khuếch đại đỉnh được chuẩn hóa tới 1 trong trường hợp không phân cực. 31
Hình 2.17: Phổ độ khuếch đại Raman được chỉ định cho 3 loại sợi quang bơm tại 1,45µm. Diện tích lõi hiệu dụng và mức pha tạp GeO2 khác nhau cho 3 loại. 33
Hình 2.18:Sự biến thiên của công suất tín hiệu trong bơm hai chiều, bộ khuếch đại Raman có chiều dài 100km với bơm thuận thay đổi từ 0 đến 100%. Phần giới hạn bởi đường thẳng là trường hợp sợi quang thụ động không có độ khuếch đại Raman. 36
Hình 2.19: Sự cải thiện trong hiệu ứng phi tuyến phụ thuộc độ khuếch đại trong chiều dài 100km, bơm hai chiều, bộ khuếch đại Raman phân bố với bơm thuận thay đổi từ 0 đến 100%. Đường dọc chỉ ra trường hợp mà độ khuếch đại Raman bù tổng suy hao sợi quang. 37
Hình 2.20:Sự biến thiên của độ khuếch đại bộ khuếch đại GA với công suất bơm P0. 39
Hình 2.21: Đặc điểm độ khuếch đại bão hòa của bộ khuếch đại Raman với một vài giá trị của độ khuếch đại bộ khuếch đại chưa bão hòa GA. 41
Hình 2.22:Sơ đồ tổng độ khuếch đại Raman ( đường nét liền) của bộ khuếch đại Raman được bơm với 6 laser với bước sóng và công suất đầu vào khác nhau( cột dọc). Đường nét đứt biểu thị độ khuếch đại Raman cung cấp bởi bơm riêng lẻ. 44
Hình 2.23: Độ khuếch đại Raman được xác định phụ thuộc chiều dài bước sóng tín hiệu cho một bộ khuếch đại chiều dài 25 km được bơm với 12 laser. Tần số bơm và mức công suất bơm đã sử dụng cho trong bảng bên phải. 46
Hình 2.24: Khuếch đại tập trung (a) và khuếch đại phân bố (b) 49
Hình 2.25: Công suất tín hiệu trong hệ thống sử dụng DRA 49
Hình 2.26: Khuếch đại Raman tập trung 51
Hình 2.27: Khuếch đại quang lai ghép EDFA/Raman 51
Hình 3.1: Khuếch đại quang trong hệ thống DWDM đa băng. 53
Hình 3.2: Hiệu suất chuyển đổi công suất của Raman và EDFA 54
Hình 3.3:Kiến trúc chung Long Haul 1600 55
Hình 3.4:Các lớp của Long Haul 1600. 55
Hình 3.5: Các ứng dụng của OPTera Long Haul 1600 56
Hình 3.6: Trạm đầu cuối có khuếch đại băng C, băng L và khuếch đại Raman 59
Hình 3.7:Sơ đồ khối card khuếch đại Raman 61
Hình 3.8: Card OSA 63
Hình 3.9:Bước sóng hoạt động của UniOSC 1510/ 1615nm 64
Hình 3.10: Các cổng của card OSC 64
Hình 3.11:Các cổng card Dual Amp 65
Hình 3.12:Sơ đồ khối card Booster 66
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
Từ viết tắt
Tiếng Anh
Tiếng Việt
ASE
Amplified Spontaneous Emission
Nhiễu tự phát
CW
Continuous Wave
Sóng liên tục
DCF
Dispersion Compensating Fiber
Sợi bù tán sắc
DRA
Distributed Raman Amplifier
Bộ khuếch đại Raman phân bố
DRS
Double Rayleigh Scattering
Tán xạ Raman kép
DWDM
Dense Wavelength Division Multiplexing
Ghép phân chia theo bước sóng dày đặc
EDFA
Erbium Droped Fiber Amplifer
Khuếch đại quang sợi pha Erbium
FWM
Four Wave Mixing
Trộn bốn sóng
LRA
Lumped Raman Amplifier
Bộ khuếch đại Raman tập trung
NF
Noise Figure
Hệ số nhiễu
NZDF
Nonzero Dispersion Fiber
Sợi quang tán sắc khác không
OFA
Optical Fiber Amplifer
Bộ khuếch đại sợi quang
OSA
Optical Spectrum Analyzer
Bộ phân tích phổ quang
OSC
Optical Service Channel
Kênh dịch vụ quang
SBS
Stimulated Brilloin Scattering
Tán xạ Brilloin kích thích
SLA
Superlarge Area
Miền siêu rộng
SMF
Single Mode Fiber
Sợi đơn mode
SNR
Signal to Noise Ratio
Tỷ số tín trên tạp
SOA
Semiconductor Optical Amplifier
Bộ khuếch đại quang bán dẫn
SPM
Self Phase Modulation
Tự điều chế pha
SRS
Stimulated Raman Scattering
Hiện tượng tán xạ Raman kích thích
WDM
Wavelength Division Multiplexing
Ghép kênh phân chia theo bước sóng
XPM
Cross Phase Modulation
Điều chế pha chéo
ZDW
Zero Dispersion Wave
Bước sóng tán sắc không
CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU VỀ KHUẾCH ĐẠI QUANG
1.1.Giới thiệu chung
Đối với tín hiệu quang, khi khoảng cách truyền dẫn lớn, sự suy giảm tín hiệu là không thể tránh khỏi. Do vậy, trên một đường truyền dẫn thông tin, tất yếu phải có bộ lặp nhằm khôi phục tín hiệu quang, khôi phục lại dạng xung, khôi phục lại biên độ... Trong hệ thống thông tin cũ, các bộ lặp thường được thực hiện trên điện. Tín hiệu quang được truyền qua một bộ chuyển đổi O/E, sau khi khuếch đại, nó lại qua bộ E/O để thực hiện truyền dữ liệu tiếp đến đích.
Hình 1.1:Bộ lặp quang điện
Các hệ thống hiện nay (WDM – Wavelength Division Multiplexing), số lượng bước sóng là rất nhiều. Nếu sử dụng bộ lặp như hiện nay, tức là khuếch đại tín hiệu trên tín hiệu điện, thì sẽ phải cần rất nhiều các bộ lặp khác nhau, mỗi bộ lặp thực hiện khuếch đại một bước sóng. Điều này sẽ làm cho chi phí tăng lên rất nhiều lần, mà hiệu quả không cao. Để giải quyết chúng ta đặt ra vấn đề phải thực hiện khuếch đại ngay trên tín hiệu quang.
Điều này sẽ dẫn tới có một số ưu điểm sau (so với trạm lặp):
+) Không cần chuyển đổi E/O và O/E, nên mạch linh động hơn, đỡ cồng kềnh.
+) Có thể khuếch đại cùng lúc nhiều bước sóng.
+) Không phụ thuộc vào phương thức điều chế và tốc độ bit.
1.2. Nguyên lý bộ khuếch đại quang
Nguyên lý khuếch đại quang dựa trên nguyên lý phát xạ kích thích và không có cộng hưởng trong khuếch đại.
Hiện tượng phát xạ kích thích là một trong ba hiện tượng biến đổi quang điện được ứng dụng trong thông tin quang. Các hiện tượng này được minh hoạ trong hình 1.2.
Hình 1.2: Các hiện tượng biến đổi quang điện
Hiện tượng hấp thụ xảy ra khi có ánh sáng tới có năng lượng Ev = hf12 tác động vào vật liệu có độ rộng vùng cấm Eg = E2 – E1 bằng nhau (Ev = Eg). Khi đó, điện tử sẽ nhận năng lượng và được nhẩy lên mức năng lượng cao hơn. Đây chính là nguyên nhân chính gây ra hiện tượng suy hao cho tín hiệu quang.
Hiện tượng phát xạ tự phát xảy ra khi một điện tử ở mức năng lượng cao chuyển xuống mức năng lượng thấp, đồng thời phát ra một photon có mức năng lượng Ev bằng độ lớn dải cấm Eg. Mỗi một vật liệu sẽ có một thời gian sống khác nhau, khi hết thời gian sống nó sẽ thực hiện bức xạ tự phát. Đây chính là nguyên nhân gây ra nhiễu của bộ khuếch đại.
Hiện tượng phát xạ kích thích xảy ra khi có một ánh sáng có năng lượng photon Ev chính bằng năng lượng dải cấm Eg. Khi đó, một điện tử ở mức năng lượng cao sẽ bị chuyển xuống mức năng lượng thấp hơn và phát ra photon có cùng pha với ánh sáng kích thích. Đây chính là nguyên lý khuếch đại của bộ khuếch đại quang.
Có thể dễ dàng nhận thấy rằng, hiện tượng bức xạ tự phát có thể xảy ra bất kỳ lúc nào, và sẽ gây ra nhiễu cho bộ khuếch đại, được gọi là nhiễu tự phát (ASE). Hiện tượng hấp thụ thì sẽ gây ra suy yếu bộ khuếch đại. Như vậy, nếu mật độ năng lượng trong vật liệu khuếch đại là thấp sẽ gây ra hiện tượng hấp thụ lớn. Điều đó dẫn đến, nếu muốn khuếch đại lớn chúng ta phải thực hiện đảo mật độ hạt.
1.3.Phân loại khuếch đại quang
Trong một bộ khuếch đại quang, quá trình khuếch đại ánh sáng được thực hiện trong vùng tích cực. Các tín hiệu quang được khuếch đại trong vùng tích cực với độ lợi lớn hay nhỏ thì phụ thuộc vào năng lượng được cung cấp từ nguồn bơm bên ngoài. Tùy theo cấu tạo của vùng tích cực, có thể chia khuếch đại quang thành hai loại chính là: Khuếch đại quang bán dẫn SOA và khuếch đại quang sợi OFA.
Trong khuếch đại quang bán dẫn SOA, vùng tích cực được cấu tạo bằng vật liệu bán dẫn. Nguồn cung cấp năng lượng để khuếch đại tín hiệu là dòng điện
Trong khuếch đại sợi quang OFA, vùng tích cực là sợi quang được pha đất hiếm. Nguồn cung cấp năng lượng là laser có bước sóng phát quang nhỏ hơn bước sóng của tín hiệu cần khuếch đại.
Một trong những loại OFA tiêu biểu là EDFA. EDFA có nhiều ưu điểm về đặc tính kỹ thuật so với SOA.
Ngoài ra, còn có một loại khuếch đại được sử dụng nhiều trong các hệ thống WDM hiện nay là khuếch đại Raman. Khuếch đại Raman cũng sử dụng sợi quang làm vùng tích cực để khuếch đại ánh sáng.
SOA và EDFA đều hoạt động dựa trên phát xạ kích thích còn khuếch đại Raman dựa trên ảnh hưởng phi tuyến của sợi quang (hiện thượng tán xạ Raman được kích thích SRS) hơn là hiện tượng phát xạ kích thích.
1.4. Hệ số độ lợi
Hầu hết các bộ khuếch đại quang đều được thực hiện thông qua hiệu ứng bức xạ kích thích. Khuếch đại đạt được khi bộ khuếch đại quang thực hiện bơm quang, hay bơm điện để đảo lộn mật độ. Nhìn chung khuếch đại quang không chỉ phụ thuộc vào bước sóng truyền mà còn phụ thuộc vào cường độ bơm, mật độ hạt có trong vật liệu. Chúng ta coi vật liệu là đồng nhất, ta có được phương trình sau:
(1.1)
Trong đó g0 là giá trị đỉnh của độ lợi, ω là tần số của tín hiệu quang tới, ω0 là tần số truyền trung tâm, P là công suất của tín hiệu được khuếch đại, Ps là công suất bão hoà. Công suất bão hoà Ps phụ thuộc vào các tham số của môi trường khuếch đại. Hệ số T2 trong phương trình (1.1) được gọi là thời gian hồi phục phân cực, thường nhỏ hơn 1 ps . Phương trình (1.1) có thể dùng để mô tả các đặc tính quan trọng của bộ khuếch đại như là băng tần độ lợi, hệ số khuếch đại và công suất đầu ra bão hoà.
Ở chế độ chưa bão hoà, coi P/Ps << 1, khi đó phương trình 1.1 trở thành:
(1.2)
Từ phương trình này có thể nhận thấy, hệ số độ lợi lớn nhất khi tần số khuếch đại ω = ω0 tần số trung tâm.
Nếu gọi Pin, Pout lần lượt là công suất đầu vào và đầu ra của bộ khuếch đại. Vậy thì hệ số khuếch đại là:
(1.3)
Mặt khác, ta lại có công thức sau:
(1.4)
Suy ra:
(1.5)
Với P(z) là công suất tín hiệu tại vị trí z so với đầu vào.
Giả sử khoảng rộng của bộ khuếch đại là L, khi đó Pout = P(L). Suy ra hệ số khuếch đại của tín hiệu quang có độ dài L là:
(1.6)
Dễ dàng nhận thấy rằng, g(ω) đạt giá trị lớn nhất tại ω = ω0 nên G(ω) cũng đạt giá trị lớn nhất tại ω0. Và giá trị hai hệ số này cũng đều giảm khi (ω – ω0) tăng. Ta có biểu đồ sau:
Hình 1.3: Mối tương quan hệ số khuếch đại
1.5. Băng thông độ lợi
Băng tần độ lợi được định nghĩa là hay là:
(1.7)
Như vậy, nếu ∆vg ~ 5THz với bộ khuếch đại quang bán dẫn có T2 = 60fs. Bộ khuếch đại băng rộng thích hợp với các hệ thống viễn thông thông tin quang, vì độ lợi của cả băng tần gần như là hằng số, thậm chí cả khi đó là tín hiệu đa kênh.
Băng tần khuếch đại ∆vA được định nghĩa là một FWHM, và liên quan tới ∆vg theo công thức sau:
(1.8)
Với G0 = exp(g0L).
Dễ dàng nhận thấy, băng tần khuếch đại nhỏ hơn băng tần độ lợi, và sự khác biệt này còn tuỳ thuộc vào độ lợi khuếch đại.
1.6. Công suất ngõ ra bão hoà
1.6.1. Độ lợi bão hoà
Độ bão hoà của độ lợi phụ thuộc vào giá trị g(ω) trong phương trình 1.1. Dễ dàng nhận thấy rằng, khi P tiến tới Ps thì giá trị g giảm dần, đồng thời hệ số khuếch đại G cũng giảm theo độ tăng của công suất tín hiệu. Chúng ta coi giá trị đỉnh xảy ra khi ω = ω0. Theo 1.1 và 1.4, chúng ta có:
(1.9)
Xét phương trình với chiều dài bộ khuếch đại là L, và coi P0 = Pin, và P(L)=GPin = Pout, từ đó ta có phương trình:
(1.10)
Dễ dàng nhận thấy, G bắt đầu giảm dần từ giá trị đỉnh G0 khi giá trị Pout đạt gần tới giá trị công suất bão hoà Ps, mô tả trong hình 1.4.
Hình 1.4: Sự phụ thuộc của công suất ra (theo Ps) theo độ lợi G (theo G0)
1.6.2. Công suất ngõ ra bão hoà
Từ công thức 1.10, chúng ta xem xét đến công suất ngõ ra bão hoà, là công suất lớn nhất tạo được ở cổng ra, ký hiệu là . Có thể nhận thấy rằng, giá trị độ lợi này đạt được khi độ lợi khuếch đại giảm từ 2 đến 3 dB, tương ứng với giá trị G = G0/2. Khi đó, ta có công thức:
(1.11)
1.7. Hệ số nhiễu
Cũng giống như các hệ thống thông tin quang khác, bộ khuếch đại này cũng có nhiễu. Nguyên lý của bộ khuếch đại là dựa trên nguyên lý bức xạ kích thích. Nhưng trong quá trình khuếch đại, có rất nhiều các điện tử hết thời gian sống, chuyển đổi từ mức năng lượng cao xuống mức năng lượng thấp, hay từ dải dẫn sang dải hoá trị, đây chính là bức xạ tự phát. Bức xạ này, khi có phương cùng luồng điện tử, sẽ gây ảnh hưởng lên biên độ và pha của tín hiệu. Hiện tượng này được gọi là hiện tượng nhiễu bức xạ tự phát ASE. Do vậy, công suất cửa ra gồm có công suất vào khuếch đại và công suất bức xạ tự phát:
Pout = G.Pin + PASE (1.12)
Ảnh hưởng nhiễu đối với bộ khuếch đại quang được biểu diễn bởi hệ số nhiễu NF, mô tả sự suy giảm tỷ số tín trên tạp tại đầu ra và đầu vào:
Hay NF = SNRin(dB) – SNRout(dB) (1.13)
Người ta cũng chứng minh được rằng, giá trị hằng số nhiễu tính cụ thể theo công thức sau:
NF = 2nsp(G-1)/G ≈ 2nsp (1.14)
Hệ số nhiễu NF của bộ khuếch đại càng nhỏ càng tốt, và giá trị nhỏ nhất có thể đạt được là 3dB. Tại giá trị này, chúng ta gọi là giá trị lượng tử.
1.8. Ứng dụng bộ khuếch đại quang
Khuếch đại quang được ứng dụng trong các hệ thống truyền dẫn quang như bộ làm tăng công suất trên đường truyền, khắc phục suy hao do sợi quang và các mối hàn nối trên đường truyền. Tuỳ theo vị trí lắp đặt mà các bộ khuếch đại được chia ra làm 3 loại, như hình vẽ 1.5 phía dưới.
Hình 1.5:Các ứng dụng khuếch đại
(a)Khuếch đại đường dây (In-line amplifier)
(b)Khuếch đại công suất (Booster Amplifier)
(c)Bộ tiền khuếch đại (Preamplifier)
Bộ khuếch đại đường dây được thực hiện nhằm làm bù sự mất mát tín hiệu trên đường dây do hàn nối, do khoảng cách… Yêu cầu của bộ này là giữ nhiễu ở mức độ thấp, thực hiện việc trao đổi tín hiệu quang với sợi quang tốt nhất, và ổn định trên toàn bộ dải thông của WDM.
Bộ khuếch đại công suất được đặt ngay bộ phát quang nhằm làm tăng cực đại nhất tín hiệu truyền, nhằm đường truyền xa nhất có thể. Yêu cầu của bộ khuếch đại này công suất ngõ ra lớn nhất, không phải là độ lợi.
Bộ tiền khuếch đại được đặt ngay phía trước bộ thu nhằm khuếch đại tín hiệu thu được. Điều này làm giảm yêu cầu nghiêm ngặt độ nhạy thiết bị thu, và cho phép hệ thống truyền dẫn với tốc độ cao hơn. Yêu cầu của bộ tiền khuếch đại này là độ nhạy lớn, độ lợi lớn, và nhiễu thấp.
Kết luận chương I
Chương này đã giới thiệu tổng quan về khuếch đại quang. Nguyên lý hoạt động của bộ khuếch đại quang. Một số thông số của bộ khuếch đại quang. Ứng dụng của bộ khuếch đại quang.
Ở chương tiếp theo em sẽ trình bày chi tiếp về bộ khuếch đại Raman.
CHƯƠNG II:BỘ KHUẾCH ĐẠI RAMAN
2.1.Tán xạ Raman
2.1.1.Ánh sáng
Ánh sáng có tính lưỡng tính sóng hạt. Tính chất sóng của ánh sáng được quan sát thấy qua các hiện tượng giao thoa, tán sắc. Ánh sáng có bản chất sóng điện từ. Các mode trường điện từ là tập các nghiệm của phương trình sóng. Tính chất hạt của ánh sáng được thể hiện qua khả năng đâm xuyên, hiện tượng quang điện, tác dụng ion hoá. Ánh sáng bao gồm các photon mang năng lượng xác định bằng hf trong đó h là hằng số Plank còn f là tần số của ánh sáng.
2.1.2.Tương tác của ánh sáng và môi trường
Một chùm sáng đi từ chân không vào môi trường bị phản xạ một phần ở mặt ngăn cách. Phần khúc xạ vào môi trường lại bị tán sắc, bị môi trường hấp thụ và bị tán xạ một phần về mọi phía.
Theo Lorentx ta thừa nhận những giả thiết cơ bản sau đây:
Phân tử của mọi chất được tạo thành từ ion và electron. Electron có khối lượng m và mang điện tích nguyên tố C và được coi như điện tích điểm.
Bên trong vật dẫn, electron chuyển động hoàn toàn tự do. Chuyển động có hướng của electron trong vật dẫn dưới ả