Cùng với sự phát triển của khoa học và kỹ thuật, các nguồn bức xạ được sử dụng ngày càng
nhiều trong hàng loạt các lĩnh vực như: công nghiệp, nông nghiệp, sinh học, y học, khảo cổ, tạo vật
liệu mới, kiểm tra khuyết tật, đo chiều dày vật liệu, xử lý nâng cao chất lượng sản phẩm Vì vậy,
việc sử dụng các nguồn bức xạ ngày càng trở nên thường xuyên và phổ biến hơn.
Hiện nay có nhiều phương pháp kiểm tra khuyết tật hay đo chiều dày sản phẩm mà không cần
phá hủy mẫu (Non-Destructive Testing – NDT) như phương pháp truyền qua, chụp ảnh phóng xạ,
siêu âm, cho kết quả nhanh chóng với độ chính xác cao. Tuy nhiên, trong một số trường hợp thực
tế các phương pháp trên không được áp dụng mà thay thế vào đó là phương pháp tán xạ, đặc biệt là
tán xạ ngược được dùng và mang lại độ chính xác cao không kém hơn các phương pháp khác.
Hiện nay, phép đo chiều dày vật liệu dựa trên hiệu ứng gamma tán xạ ngược được ứng dụng
rộng rãi trong ngành công nghiệp ở nước ta, như ở các nhà máy giấy với việc sử dụng hệ đo chuyên
dụng dùng nguồn phóng xạ beta hay gamma mềm. Ưu điểm của phương pháp này là đo chiều dày
vật liệu chỉ cần dùng một phía của vật liệu (nguồn phóng xạ và detector ở cùng môt phía) thuận lợi
trong hệ thống băng chuyền công nghiệp, tốt với vật liệu nhẹ
59 trang |
Chia sẻ: duongneo | Lượt xem: 1703 | Lượt tải: 2
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Mô phỏng monte carlo và kiểm chứng thực nghiệm phép đo chiều dày vật liệu đối với hệ chuyên dụng myo - 101, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP. HỒ CHÍ MINH
*******
NGUYỄN THỊ KIM THỤC
MÔ PHỎNG MONTE CARLO VÀ KIỂM
CHỨNG THỰC NGHIỆM PHÉP ĐO CHIỀU
DÀY VẬT LIỆU ĐỐI VỚI HỆ CHUYÊN
DỤNG MYO-101
Chuyên ngành: Vật lý nguyên tử, hạt nhân và năng lượng cao
Mã số: 60.44.05
LUẬN VĂN THẠC SĨ
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. NGUYỄN VĂN HÙNG
Tp. Hồ Chí Minh - 2010
LỜI CẢM ƠN
Trong quá trình thực hiện luận văn, tôi đã nhận được sự giúp đỡ của quý Thầy cô, gia đình và
bạn bè. Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến:
Thầy TS. Nguyễn Văn Hùng, Thầy đã tận tình hướng dẫn cho tôi trong suốt quá trình thực
hiện luận văn. Thầy đã luôn động viên, đóng góp ý kiến và truyền đạt những kinh nghiệm quý báu
trong nghiên cứu khoa học. Thầy là người đã định hướng cho tôi tham gia lớp học "Ứng dụng kỹ
thuật hạt nhân trong công nghiệp và môi trường" phối hợp JAEA, Nhật Bản tổ chức tại Trung Tâm
Đào Tạo Viện Nghiên cứu Hạt nhân Đà Lạt. Thầy còn là người gợi ý sử dụng chương trình MCNP
(Monte Carlo N- Particle) trong nghiên cứu đề tài này.
Xin cảm ơn các anh chị ở Trung Tâm nghiên cứu hạt nhân Đà Lạt đã nhiệt tình giúp đỡ tôi
trong suốt quá trình thực hiện luận văn.
Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành đến các Thầy cô đã tận tình chỉ bảo, truyền đạt những
kiến thức quý báu trong những năm học vừa qua.
Xin gởi lời biết ơn chân thành đến quý Thầy cô trong hội đồng đã đọc, nhận xét và đóng góp
những ý kiến quý báu về luận văn này.
Tôi xin chân thành cảm ơn Ban Giám Hiệu Trường THPT Xuân Lộc – Tỉnh Đồng Nai (nơi
tôi đang công tác) và các Thầy cô trong Tổ Vật Lý Trường THPT Xuân Lộc đã tạo điều kiện thuận
lợi cho tôi trong suốt quá trình học tập và hoàn thành luận văn này.
Mình cám ơn các bạn gần xa đã giúp đỡ tài liệu, chia sẽ phương pháp học tập, kinh nghiệm
trong quá trình thực hiện luận văn. Cuối cùng, em cảm ơn gia đình luôn động viên, chia sẽ và tạo
mọi điều kiện thuận lợi cho em hoàn thành luận văn này.
DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU
: hệ số chuyển đổi của hệ số hấp thụ khối giữa lý thuyết và thực nghiệm.
: bình phương độ lệch tương đối của số đếm theo lý thuyết và thực nghiệm.
: hệ số hấp thụ khối
: sai số giữa lý thuyết và thực nghiệm
I: cường độ bức xạ
R: sai số tương đối
x: chiều dày của vật liệu tán xạ
DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT
ENDL: Thư viện các số liệu hạt nhân ENDL (Evaluated Nuclear Data Library)
ENDF: Thư viện các số liệu hạt nhân ENDF (Evaluated Nuclear Data File)
IAEA: Cơ quan năng lượng nguyên tử quốc tế (International Atomic Energy Agency).
JAEA: Cơ quan năng lượng nguyên tử Nhật Bản (Janpan Atomic Energy Agency)
MCNP: Monte Carlo N-particle (Chương trình Monte-Carlo mô phỏng vận chuyển hạt N của
nhóm J.F. Briesmeister, 1997, Los Alamos National Laboratory Report, LA-12625-M)
MYO-101: Tên gọi của hệ đo chiều dày vật liệu
NDT: không phá hủy mẫu (Non-Destructive Testing)
NJOY: Mã định dạng các thư viện số liệu hạt nhân trong MCNP
YAP(Ce): tinh thể nhấp nháy của detector (Yttrium Aluminum Perovskite with activated Cerium)
DANH MỤC CÁC ĐƠN VỊ ĐO
Các đơn vị đo năng lượng: Các đơn vị đo bức xạ:
1 eV (electron - Volt) = 1,602.10-19 J (Joule)
1 J = 6,246.1018 eV
1 keV = 103 eV
1 MeV = 106 eV
1 GeV = 109 eV
1 mec
2 = 0,511 MeV (đối với electron)
1 mPc
2 = 938,3 MeV (đối với proton)
1 mnc
2 = 939,6 MeV (đối với neutron)
1 Bq (Becquerel) = 2,7.10-11 Ci
(Curi)
1 Ci = 3,7.1010 Bq
1 Gy (Grey) = 100 Rad (Rad)
1 Rad = 0,01 Gy
1 Rem (Rem) = 0,01 Sv (Sievert)
1 Sv = 100 Rem
MỞ ĐẦU
Cùng với sự phát triển của khoa học và kỹ thuật, các nguồn bức xạ được sử dụng ngày càng
nhiều trong hàng loạt các lĩnh vực như: công nghiệp, nông nghiệp, sinh học, y học, khảo cổ, tạo vật
liệu mới, kiểm tra khuyết tật, đo chiều dày vật liệu, xử lý nâng cao chất lượng sản phẩm Vì vậy,
việc sử dụng các nguồn bức xạ ngày càng trở nên thường xuyên và phổ biến hơn.
Hiện nay có nhiều phương pháp kiểm tra khuyết tật hay đo chiều dày sản phẩm mà không cần
phá hủy mẫu (Non-Destructive Testing – NDT) như phương pháp truyền qua, chụp ảnh phóng xạ,
siêu âm, cho kết quả nhanh chóng với độ chính xác cao. Tuy nhiên, trong một số trường hợp thực
tế các phương pháp trên không được áp dụng mà thay thế vào đó là phương pháp tán xạ, đặc biệt là
tán xạ ngược được dùng và mang lại độ chính xác cao không kém hơn các phương pháp khác.
Hiện nay, phép đo chiều dày vật liệu dựa trên hiệu ứng gamma tán xạ ngược được ứng dụng
rộng rãi trong ngành công nghiệp ở nước ta, như ở các nhà máy giấy với việc sử dụng hệ đo chuyên
dụng dùng nguồn phóng xạ beta hay gamma mềm. Ưu điểm của phương pháp này là đo chiều dày
vật liệu chỉ cần dùng một phía của vật liệu (nguồn phóng xạ và detector ở cùng môt phía) thuận lợi
trong hệ thống băng chuyền công nghiệp, tốt với vật liệu nhẹ.
Bên cạnh đó, cùng với sự phát triển của máy tính chương trình mô phỏng vận chuyển bức xạ
bằng phương pháp Monte-Carlo ngày càng được sử dụng rộng rãi. Điều này gắn liền yêu cầu của
thực tế vì các thí nghiệm trong các lĩnh vực hạt nhân phức tạp và chi phí cho thí nghiệm tốn kém.
Tuy nhiên về mặt lý thuyết, việc hiểu bản chất một cách trực quan về hiệu ứng tán xạ Compton
còn là điều khó khăn đối với học viên khi tiến hành các bài thực tập về đo cường độ và chiều dày
vật liệu sử dụng bức xạ tán xạ. Vì vậy, để hỗ trợ và so sánh với kết quả đo thực nghiệm, trong luận
văn này đã áp dụng phương pháp nghiên cứu mô phỏng Monte Carlo bằng chương trình MCNP
(Monte Carlo N-Particles) đối với phép đo chiều dày một số liệu nhẹ khác nhau dựa trên hiệu ứng
bức xạ gamma tán xạ ngược.
Với mục đích nêu trên, nội dung của luận văn bao gồm 3 chương.
Chương 1: Trình bày tương tác của bức xạ gamma với vật chất và các yếu tố ảnh hưởng đến
cường độ tia gamma tán xạ ngược.
Chương 2: Giới thiệu phương pháp Monte Carlo, trình bày đặc điểm về chương trình MCNP
và trình bày phương pháp Monte Carlo trong mô phỏng tương tác của photon với vật chất của
chương trình MCNP.
Chương 3: Giới thiệu chi tiết về hệ đo chuyên dụng MYO-101 thuộc Phòng thí nghiệm Trung
tâm Đào tạo - Viện nghiên cứu hạt nhân, Đà Lạt. Sử dụng chương trình MCNP để mô phỏng hệ đo
MYO-101. Sau đó đo thực nghiệm chiều dày các vật liệu nhẹ trên hệ đo và kiểm chứng với kết quả
tính toán bằng MCNP.
CHƯƠNG 1
TƯƠNG TÁC CỦA BỨC XẠ GAMMA VỚI VẬT CHẤT
1.1. Sự suy giảm bức xạ gamma khi đi qua vật chất
Bức xạ gamma có bản chất sóng điện từ, đó là các photon năng lượng E cao hàng chục keV
đến hàng chục MeV có khả năng xuyên sâu rất lớn. Bức xạ gamma được phát ra khi hạt nhân
chuyển từ trạng thái kích thích về trạng thái cơ bản trong những quá trình hạt nhân khác nhau. Các
nhân phóng xạ xác định phát ra các bức xạ gamma có năng lượng xác định, năng lượng cao nhất có
thể tới 8 -10 MeV. Bước sóng của bức xạ gamma là
hc
λ =
E
(h = 6,625.10-34 J.s, c = 3.10-8 m) nhỏ
hơn nhiều so kích thước nguyên tử, cỡ 1010 m.
Tia gamma có mối nguy hiểm bức xạ cao về mặt an toàn bức xạ. Do có độ xuyên sâu lớn nên
có thể gây nguy hiểm đáng kể ở khoảng cách khá xa nguồn. Các tia tán xạ cũng gây nguy hiểm vì
thế khi che chắn phải quan tâm đến mọi hướng. Tia gamma gây tổn hại cho các mô, bao trùm cả cơ
thể do đó những mô nhạy cảm với bức xạ sẽ bị tổn hại khi con người có mặt trong trường gamma
ngoài. So với bức xạ alpha và beta, tia gamma nguy hiểm hơn về mặt chiếu ngoài nhưng chiếu trong
thì kém hơn vì quãng chạy lớn nên năng lượng truyền cho một thể tích nhỏ của mô là nhỏ.
Khi đi qua vật chất, bức xạ gamma bị mất năng lượng do ba quá trình chính là hiệu ứng
quang điện, hiệu ứng Compton và hiệu ứng tạo cặp.
Khi đi xuyên qua vật chất, bức xạ gamma tương tác với các nguyên tử môi trường, tức là với
các electron và hạt nhân. Bức xạ gamma bị vật chất hấp thụ do tương tác điện từ. Tuy nhiên cơ chế
của quá trình hấp thụ bức xạ gamma khác với các hạt tích điện do hai nguyên nhân. Thứ nhất, lượng
tử gamma không có điện tích nên không chịu ảnh hưởng của lực Coulomb tác dụng xa. Tương tác
của lượng tử gamma với electron xảy ra trong miền với bán kính cỡ 10-13 m tức là nhỏ hơn 3 bậc
kích thước nguyên tử. Vì vậy khi qua vật chất lượng tử gamma ít va chạm với các electron và hạt
nhân, do đó ít lệch khỏi phương bay ban đầu của mình. Thứ hai, khối lượng nghỉ của gamma bằng
không nên không có vận tốc khác với vận tốc ánh sáng. Điều này có nghĩa là lượng tử gamma
không bị làm chậm trong môi trường. Nó hoặc bị hấp thụ, hoặc bị tán xạ và thay đổi phương bay
[10].
Sự suy giảm bức xạ gamma khi đi qua môi trường khác với sự suy giảm của các hạt tích điện
(như bức xạ alpha, bức xạ beta,). Các hạt tích điện có tính chất hạt nên chúng có quãng chạy hữu
hạn trong vật chất, nghĩa là chúng có thể bị hấp thụ hoàn toàn, trong lúc đó bức xạ gamma chỉ bị suy
giảm về cường độ chùm tia khi tăng bề dày vật chất mà không bị hấp thụ hoàn toàn. Do đó đối với
lượng tử gamma không có khái niệm quãng chạy.
Xét một chùm tia hẹp gamma đơn năng với cường độ ban đầu I0. Sự thay đổi cường độ khi đi
qua lớp vật chất có độ dày dx bằng:
dI = -Idx (1.1)
Trong đó μ là hệ số suy giảm tuyến tính. Đại lượng này có thứ nguyên (độ dày)-1 và thường tính
theo cm-1.
Từ công thức (1.1) ta có thể viết phương trình:
dI
= -μdx
I
(1.2)
Tích phân phương trình này từ 0 đến x ta được:
I = I0e
-x (1.3)
Công thức (1.3) mô tả sự suy giảm theo hàm số mũ của cường độ chùm gamma hẹp và đơn
năng. Sự suy giảm của chùm tia hẹp gamma theo bề dày vật liệu được mô tả bởi hình 1.1.
Hình 1.1. Sự suy giảm chùm tia hẹp gamma theo bề dày vật liệu.
- Các đường liền nét: chùm gamma đơn năng 0,661 MeV
- Đường gạch nối: chùm gamma đa năng lượng
Hệ số suy giảm tuyến tính phụ thuộc vào năng lượng của bức xạ gamma và mật độ vật liệu
môi trường. Bảng 1.1 trình bày hệ số suy giảm tuyến tính của một số vật liệu che chắn thông
dụng đối với các giá trị năng lượng từ 0,1 MeV đến 1 MeV.
Bảng 1.1. Hệ số suy giảm tuyến tính (cm-1).
Vật liệu Mật độ
3( / )g cm
Năng lượng bức xạ gamma MeV
0,1 0,15 0,2 0,3 0,5 1,0
C 2,25 0,335 0,301 0,274 0,238 0,196 0,143
Al 2,7 0,435 0,362 0,324 0,278 0,227 0,166
Độ dày giảm một nửa d1/2 là độ dày vật chất mà chùm tia đi qua bị suy giảm cường độ hai
lần, nghĩa là còn một nửa cường độ ban đầu. Độ dày giảm một nửa liên hệ với hệ số suy giảm tuyến
tính như sau:
1/2
0,693
d =
μ
(1.4)
Với chủ
yếu do
hiệu ứng
Compton
đóng góp.
Ngoài hệ
số suy
giảm tuyến
tính ,
người ta
còn sử dụng hệ số suy giảm khối m, thường tính theo đơn vị (g/cm
2)-1, được xác định như sau:
m
μ
μ =
ρ
(1.5)
Trong đó là mật độ vật chất môi trường, có thứ nguyên là g/cm3. Hình 1.3 trình bày sự phụ
thuộc của hệ số suy giảm khối vào năng lượng tia gamma đối với một số vật liệu che chắn thông
dụng.
Fe 7,9 2,720 1,445 1,090 0,858 0,655 0,470
Cu 8,9 3,80 1,83 1,309 0,960 0,730 0,520
Pb 11,3 59,7 20,8 10,15 4,02 1,64 0,771
Không khí 31, 29.10 1,95.10
41,73.10
41,59.10
41,37.10
41,12.10
58, 45.10
Nước 1 0,167 0,149 0,136 0,118 0,097 0,071
Bê tông 2,35 0,397 0,326 0,291 0,251 0,204 0,149
Hình 1.2. Sự suy giảm cường độ chùm tia gamma theo độ dày giảm một nửa
d1/2.
H
ệ
số
s
u
y
gi
ảm
k
h
ối
(
cm
2 /
g
)
. Năng lượng tia gamma (MeV)
Hình 1.3. Sự phụ thuộc của hệ số suy giảm khối vào năng lượng tia gamma
đối với một số vật liệu
Từ hình 1.3 nhận thấy, hệ số suy giảm khối phụ thuộc vào năng lượng tia gamma và vật liệu
che chắn. Năng lượng càng tăng hệ số suy giảm khối của các vật liệu càng giảm [14].
Trong một số trường hợp còn dùng hệ số suy giảm nguyên tử nt là phần tia gamma bị một
nguyên tử làm suy giảm. Hệ số nt được xác định như sau:
1
nt 3
μ(cm )
μ =
N(atom/cm )
(1.6)
Trong đó N là số nguyên tử trong 1 cm3. Chú ý rằng nt được tính theo cm
2, là đơn vị diện
tích. Do đó hệ số hấp thụ nguyên tử còn được gọi là tiết diện, đơn vị tính là barn, -24 21barn = 10 (cm ) .
Hệ số hấp thụ nguyên tử nt được gọi là tiết diện vi mô và ký hiệu là , còn hệ số hấp thụ
tuyến tính được gọi là tiết diện vĩ mô, ký hiệu là . Từ các ký hiệu trên ta viết lại công thức sau:
(cm-1) = (cm2/nguyên tử) N(nguyên tử/cm3) (1.7)
Sử dụng tiết diện vi mô có thể tính được hệ số suy giảm của hợp kim hay một hỗn hợp chứa
một vài nguyên tố khác nhau.
Trong quá trình hấp thụ, tia gamma truyền toàn bộ năng lượng cho các hạt vật chất. Năng
lượng đó làm cho các hạt thứ cấp chuyển động trong môi trường đồng thời tia gamma biến mất.
Trong quá trình tán xạ, tia gamma truyền một phần năng lượng cho các hạt vật chất và thay
đổi phương chuyển động, đồng thời giảm năng lượng. Lượng tử gamma không tích điện do đó quá
trình làm chậm của lượng tử gamma trong môi trường vật chất không được thực hiện liên tục như
những hạt tích điện vì khi tương tác với electron và nguyên tử của môi trường, lượng tử gamma
tương tác theo các cơ chế hấp thụ (mất toàn bộ năng lượng) hoặc tán xạ (mất một phần năng lượng)
[3].
1.2. Các cơ chế tương tác của tia gamma với vật chất
Tương tác của lượng tử gamma với vật chất không gây hiện tượng ion hoá trực tiếp như hạt
tích điện. Tuy nhiên khi gamma tương tác với nguyên tử, nó làm bứt electron quỹ đạo ra khỏi
nguyên tử hay sinh ra các cặp electron-positron, rồi các electron này gây ion hóa môi trường.
Có ba dạng tương tác cơ bản của gamma với nguyên tử là hiệu ứng quang điện, tán xạ
Compton và hiệu ứng tạo cặp.
1.2.1. Hiệu ứng quang điện
Khi lượng tử gamma va chạm với electron quỹ đạo của nguyên tử, gamma biến mất và năng
lượng gamma được truyền toàn bộ cho các electron quỹ đạo để nó bay ra khỏi nguyên tử (Hình 1.4).
Eletron này được gọi là quang electron (Photoelectron). Quang electron nhận được động năng Ee,
bằng hiệu số giữa năng lượng gamma tới E và năng lượng liên kết lk của electron trên lớp vỏ trước
khi bị bứt ra.
Ee = E - lk (1.8)
Trong đó lk = k đối với electron lớp K, lk = L đối với electron lớp L, lk = M đối với electron lớp
M và K > L > M.
Hình 1.4. Hiệu ứng quang điện.
Năng lượng của lượng tử gamma tới ít nhất phải bằng năng lượng liên kết của electron thì
hiệu ứng quang điện mới xảy ra.
Nếu E < K thì hiệu ứng quang điện chỉ xảy ra với các lớp L, M,
Nếu E < L thì hiệu ứng quang điện chỉ xảy ra với các lớp M,
Hiệu ứng quang điện không xảy ra với các electron tự do vì không bảo đảm quy luật bảo toàn
năng lượng và động lượng. Thật vậy, giả sử hiệu ứng quang điện xảy ra với electron tự do thì các
quy luật bảo toàn năng lượng và động lượng dẫn tới các hệ thức sau:
2e 2
1
E = m c ( - 1)
1- β
(1.9)
e
2
m βcE
=
c 1-β
(1.10)
Từ hệ hai phương trình này ta được:
2 2 2
E 1 β
= - 1 =
mc 1 - β 1 - β
hay 2 2(1 - β ) = 1 - β (1.11)
Phương trình này cho hai nghiệm β = 0 và β = 1. Giá trị β = 0 cho nghiệm tầm thường Ee =
0, còn giá trị 1 không có ý nghĩa vì electron có khối lượng khác không. Như vậy muốn có hiệu
ứng quang điện thì electron phải liên kết trong nguyên tử. Hơn nữa muốn hiệu ứng xảy ra, năng
lượng tia gamma phải lớn hơn năng lượng liên kết của electron để thoả mãn biểu thức (1.8) nhưng
không được quá lớn vì khi đó nó coi electron gần như tự do. Nhận xét này được thể hiện trên hình
1.5 mô tả sự phụ thuộc tiết diện hiệu ứng quang điện vào năng lượng gamma. Ở miền năng lượng
gamma lớn thì tiết diện bé vì khi đó gamma coi electron liên kết rất yếu. Khi giảm năng lượng
gamma, tỉ số K
ε
E
tăng, tiết diện tăng theo quy luật
1
E
. Khi E tiến dần đến Kε , tiết diện tăng theo hàm
7/2
1
E
và tăng cho đến khi KE = ε . Khi năng lượng gamma vừa giảm xuống dưới giá trị Kε thì hiệu
ứng quang điện không thể xảy ra với electron lớp K nữa nên tiết diện giảm đột ngột. Tiếp tục giảm
năng lượng tia gamma, tiết diện tăng trở lại do hiệu ứng quang điện đối với electron lớp L. Nó đạt
giá trị lớn tại LE = ε rồi lại giảm đột ngột khi E giảm xuống thấp hơn Lε . Sau đó hiệu ứng quang
điện xảy ra đối với electron lớp M,...
Hình 1.5. Tiết diện hiệu ứng quang điện phụ thuộc vào năng lượng
gamma E.
Do năng lượng liên kết thay đổi theo số nguyên tử Z nên tiết diện tán xạ trong hiệu ứng
quang điện được dẫn từ sự phụ thuộc của tiết diện tán xạ vào năng lượng lượng tử gamma Z, theo
quy luật Z5 nghĩa là nó tăng rất nhanh với các nguyên tố nặng. Như vậy tiết diện hiệu ứng quang
điện sẽ là:
photo ~ Z
5 /E7/2 khi E K và photo Z
5 /E khi E >> K (1.12)
Hiệu ứng quang điện chỉ xảy ra chủ yếu đối với các electron lớp K và với tiết diện rất lớn đối
với các nguyên tử nặng (như chì) ngay cả ở vùng năng lượng cao, còn đối với các nguyên tử nhẹ
(như cơ thể sinh học) thì hiệu ứng quang điện chỉ xuất hiện chủ yếu ở vùng năng lượng thấp [3].
1.2.2. Hiệu ứng Compton
Khi tăng năng lượng gamma đến giá trị năng lượng lớn hơn nhiều so với năng lượng liên kết
của các electron lớp K trong nguyên tử thì hiệu ứng quang điện không còn đáng kể và bắt đầu hiệu
ứng Compton. Khi đó có thể bỏ qua năng lượng liên kết của electron so với năng lượng gamma và
tán xạ gamma lên electron có thể coi như tán xạ với electron tự do. Tán xạ này là tán xạ Compton,
là tán xạ đàn hồi của gamma tới với các electron chủ yếu ở quỹ đạo ngoài cùng của nguyên tử. Sau
tán xạ lượng tử gamma thay đổi phương bay và bị mất một phần năng lượng còn electron được giải
phóng ra khỏi nguyên tử.
Trên cơ sở tính toán động học của quá trình tán xạ đàn hồi của tia gamma chuyển động với
năng lượng E lên electron đứng yên ta có các công thức sau đây đối với năng lượng gamma E và
electron Ee sau tán xạ phụ thuộc vào góc bay của gamma sau tán xạ. Hình 1.6 biểu diễn quá trình
tán xạ Compton.
E = E
cos11
1
(1.13)
Ee = E
cos11
cos1
(1.14)
Trong đó
2
ecm
E
; me = 9,1.10
-31 kg; c = 3.108 m/sec; mec
2 = 0,511 MeV.
Góc bay của electron sau tán xạ liên hệ với các góc như sau:
1 φ
tanθ = - cot
E 21-
E
(1.15)
Hình 1.6. Hiệu ứng tán xạ Compton.
Các bước sóng và của gamma liên hệ với các giá trị năng lượng E và E của nó như sau:
hc hc
λ = ; λ =
E E
(1.16)
Theo công thức (1.13) ta thấy E < E, nghĩa là năng lượng gamma giảm sau tán xạ Compton và
bước sóng của nó tăng. Gia số tăng bước sóng phụ thuộc vào góc tán xạ của gamma theo biểu
thức:
' 2c
φ
Δλ = λ - λ = 2λ sin ( )
2
(1.17)
Trong đó
cm
h
e
c = 2,42.10
-12 (m) là bước sóng Compton, được xác nhận bởi thực nghiệm.
Do chỉ phụ thuộc vào góc nên không phụ thuộc vào vật liệu của môi trường.
Tán xạ Compton không đóng vai trò đáng kể khi vì khi đó , chẳng hạn đối với
ánh sáng nhìn thấy hoặc ngay cả khi tia X năng lượng thấp. Hiệu ứng Compton chỉ đóng góp lớn
đối với tia gamma sóng ngắn, hay năng lượng cao, sao cho .
Khi tán xạ Compton, năng lượng tia gamma giảm và phần năng lượng giảm đó truyền cho
electron giật lùi. Như vậy năng lượng electron giật lùi càng lớn khi gamma tán xạ với góc càng
lớn. Gamma truyền năng lượng lớn nhất cho electron khi tán xạ ở góc = 180 0, tức là khi tán xạ
giật lùi. Giá trị năng lượng cực đại của electron bằng:
(Ee)max =
2Eα
1+2α
(1.18)
Tiết diện vi phân của tán xạ Compton có dạng:
2 2 2
2
e 2 2
dσ 1 + cos φ α (1 - cosφ)
= r 1+
dΩ 2[1 + α(1 - cosφ)] (1 + cos φ)[1 + α(1 - cosφ)]
(1.19)
Trong đó:
2
e 2
e
e
r =
m c
,
2
e
E
α =
m c
Tiết diện tán xạ Compton toàn phần nhận được bằng cách lấy tích phân biểu thức (1.19) theo tất cả
các góc tán xạ:
2
Compton e 2 2
1 + α 2(1 + α) 1 1 1 + 3α
σ = 2πr [ - ln(1 + 2α)] + ln(1 + 2α) -
α 1 + 2α α 2α (1 + 2α)
(1.20)
Ta hãy xét hai trường hợp giới hạn của tiết diện tán xạ Compton (1.20):
- Khi rất bé, tức là khi 2eE << m c , công thức (1.20) chuyển thành:
2