Luận văn Mô phỏng sự vận chuyển điện tử trong Transistor đơn điện tử

(Bản scan) Một trong những thành tựu cực kỳ to lớn trong lĩnh vực chế tạo vi điện tử bán dẫn trong suốt ba thập kỷ qua dựa trên linh kiện transistor hiệu ứng trường MOSFET làm tăng mật độ tích hợp linh kiện trong chip số và nhớ. Theo báo cáo của hiệp hội công nghiệp bán dẫn quốc tế kích thước của transistor có thểm giảm xuống dưới 100nm (cỡ 30-50 nm) tới năm 2014. Thực chất hiện nay kích thước transistor đã giảm đến 45nm. Khi MOSFET đạt đến kích thước thang nano thì bản thân linh kiện và mạch tích hợp của nó bắt gặp những vấn đề như: điện trường cao gây đánh thủng thác lũ tràn dòng làm hỏng lũy tuyến linh kiện, tiêu tán nhiệt, vùng nghèo có lại dẫn đến xuyên hầm theo cơ học lượng tử, lớp oxit mỏng dưới cổng làm điện tử rò từ cổng đến máng... Một số báo cáo cho thấy CMOS sẽ tiếp cận tới những giới hạn chức năng và vật lý của chúng có thể tiên đoán là 10nm. Những hiệu ứng lượng tử hiện đang bị bỏ qua trong vận chuyển của phần tử tải điện khi đó sẽ trở thành những vấn đề chính yếu.

pdf31 trang | Chia sẻ: tuandn | Lượt xem: 2485 | Lượt tải: 0download
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Mô phỏng sự vận chuyển điện tử trong Transistor đơn điện tử, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên

Các file đính kèm theo tài liệu này:

  • pdf6.PDF
  • pdf0.PDF
  • pdf1.PDF
  • pdf2.PDF
  • pdf3.PDF
  • pdf4.PDF
  • pdf5.PDF
  • pdf7.PDF
  • pdf8.PDF
  • pdf9.PDF
  • pdf10.PDF
  • pdf11.PDF
Luận văn liên quan