Luận văn Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T

Cùng với sựphát triển vượt bậc của công nghệthông tin thì kỹthuật hạt nhân được áp dụng phổbiến trong nhiều lĩnh vực của đời sống, và mang lại nhiều lợi ích kinh tế- xã hội. Trong sựphát triển của kỹthuật hạt nhân “kiểm tra không phá hủy (NDT)” sửdụng khá rộng rãi trong nhiều ngành công nghiệp trên khắp Thếgiới và Việt Nam. Với sựphát triển của công nghệ nhưvũbão hiện nay, các ngành công nghiệp trọng điểm là thếmạnh của các nước đang phát triển nhưViệt Nam đểhòa vào sân chơi kinh tếThếgiới, nên chất lượng sản phẩm bán ra là rất cần thiết đểcó thểcạnh tranh được trên thị trường quốc tế, do nền kinh tếThếgiới đã mang tính toàn cầu. Vì vậy kiểm tra không phá hủy là một bộphận quan trọng trong công tác kiểm tra chất lượng sản phẩm. Phương pháp không phá hủy mẫu dùng kiểm tra các khuyết tật mối hàn, các vết nứt trong các đường ống, các công trình xây dựng. Ngoài ra, nó còn phục vụcho nhiều ngành khác nhau như: Hóa chất, chếbiến lọc dầu, xi măng, khai thác dầu khí, công trình giao thông thủy lợi, và cảtrong y tếlẫn nông nghiệp. Một trong những phương pháp kiểm tra không phá huỷ ngày càng được chấp nhận sửdụng rộng rãi và đóng vai trò quan trọng trong công nghiệp là : Phương pháp chụp ảnh bức xạcông nghiệp (thuật ngữtiếng Anh là Radiography Testing – ký hiệu là RT). Nó đang ngày càng trởnên hữu hiệu và là sựlựa chọn của nhiều ngành công nghiêp trong việc kiểm tra chi tiết trên công trình yêu cầu độan toàn cao. Xuất phát từthực tế đó, luận văn này muốn trình bày khái quát vềnguyên lý cơbản của phương pháp chụp ảnh phóng xạvà ứng dụng khác nhau trong việc kiểm tra khuyết tật trong các thành phần công nghệ. Do đó bốcục của luận văn gồm ba phần chính : Phần I: Tổng quan lý thuyết : gồm 4 chương. Khóa luận tốt nghiệp: Ứng dụng kỹthuật chụp ảnh phóng xạtia X đểkiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữT. SVTH : Trần ThịThủy Trang 4 Chương I: Tổng quan vềtia X và phương pháp chụp ảnh phóng xạ. Chương II: Các thiết bịdùng trong chụp ảnh phóng xạ. Chương III: Quá trình xửlý phim, và phương pháp nhận dạng khuyết tật. Chương IV: Ứng dụng và đánh giá an toàn trong chụp ảnh bức xạ. Phần II: Phần thực nghiệm và kết quả. Phần III: Kết luận Tài liệu tham khảo. Phụlục.

pdf75 trang | Chia sẻ: ngtr9097 | Lượt xem: 5325 | Lượt tải: 1download
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 1 PHẦN MỞ ĐẦU ................................................................................................ 3 CHƯƠNG I : TỔNG QUAN VỀ TIA X VÀ PHƯƠNG PHÁP CHỤP ẢNH PHÓNG X I. GIỚI THIỆU CHUNG ................................................................................... 5 I.1) Định nghĩa và tầm quan trọng của NDT ................................................. 5 I.2). Các phương pháp NDT .......................................................................... 6 II. TIA X VÀ CHỤP ẢNH PHÓNG XẠ ........................................................... 7 II.1). Tia X ..................................................................................................... 7 II. 2). Quá trình tương tác của bức xạ với vật chất ...................................... 12 II.3). Chụp ảnh phóng xạ ............................................................................ 17 II.4). Nguyên lý tạo ảnh trên phim ............................................................... 19 CHƯƠNG 2 : THIẾT BỊ DÙNG TRONG CHỤP ẢNH PHÓNG XẠ.......... 20 I. THIẾT BỊ PHÁT BỨC XẠ TIA X ............................................................... 20 I.1). Ống phát tia-X ..................................................................................... 20 I.2). Bàn điều khiển trên ống phát tia-X ...................................................... 21 I.3). Cấu tạo và các đặc tính của phim ........................................................ 22 I.4). Phân loại phim .................................................................................... 30 I.5). Màn tăng cường ................................................................................... 31 CHƯƠNG 3 : QUÁ TRÌNH XỬ LÝ PHIM CHẤT LƯỢNG ẢNH VÀ LIỀU CHIẾU. .................................................................................................. 34 I . QUÁ TRÌNH XỬ LÝ TRÁNG RỬA PHIM. ............................................... 34 I.1. Qúa trình xử lý tráng rửa phim. .......................................................... 34 I.2. Phòng tối ............................................................................................. 39 II. CHẤT LƯỢNG ẢNH VÀ LIỀU CHIẾU ................................................... 39 II.1). Các phương pháp xác định khuyết tật : .............................................. 39 II.2). Công thức tính toán và phương pháp xác định liều chiếu. .................. 47 Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 2 CHƯƠNG 4 : ỨNG DỤNG VÀ ĐÁNH GIÁ AN TOÀN TRONG ............... 56 CHỤP ẢNH BỨC XẠ ..................................................................................... 56 I. KĨ THUẬT CHỤP ẢNH BỨC XẠ KIỂM TRA CÁC MỐI HÀN. ............... 56 I.1. Các mối hàn nối. ................................................................................... 56 I.2. Các mối hàn chu vi ............................................................................... 57 I.3. Mối hàn chữ T ....................................................................................... 63 II SỰ TÁC ĐỘNG CỦA BỨC XẠ LÊN CHẤT LƯỢNG ẢNH CHỤP BỨC XẠ: ................................................................................................................ 71 II.1. Nguồn gốc và sự tác động của bức xạ tán xạ lên chất lượng ảnh ......... 71 II.2. Các biện pháp khắc phục ..................................................................... 72 II.3. Tác động của bức xạ lên cơ thể con người. .......................................... 73 Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 3 PHẦN MỞ ĐẦU Cùng với sự phát triển vượt bậc của công nghệ thông tin thì kỹ thuật hạt nhân được áp dụng phổ biến trong nhiều lĩnh vực của đời sống, và mang lại nhiều lợi ích kinh tế - xã hội. Trong sự phát triển của kỹ thuật hạt nhân “kiểm tra không phá hủy (NDT)” sử dụng khá rộng rãi trong nhiều ngành công nghiệp trên khắp Thế giới và Việt Nam. Với sự phát triển của công nghệ như vũ bão hiện nay, các ngành công nghiệp trọng điểm là thế mạnh của các nước đang phát triển như Việt Nam để hòa vào sân chơi kinh tế Thế giới, nên chất lượng sản phẩm bán ra là rất cần thiết để có thể cạnh tranh được trên thị trường quốc tế, do nền kinh tế Thế giới đã mang tính toàn cầu. Vì vậy kiểm tra không phá hủy là một bộ phận quan trọng trong công tác kiểm tra chất lượng sản phẩm. Phương pháp không phá hủy mẫu dùng kiểm tra các khuyết tật mối hàn, các vết nứt trong các đường ống, các công trình xây dựng. Ngoài ra, nó còn phục vụ cho nhiều ngành khác nhau như : Hóa chất, chế biến lọc dầu, xi măng, khai thác dầu khí, công trình giao thông thủy lợi, và cả trong y tế lẫn nông nghiệp. Một trong những phương pháp kiểm tra không phá huỷ ngày càng được chấp nhận sử dụng rộng rãi và đóng vai trò quan trọng trong công nghiệp là : Phương pháp chụp ảnh bức xạ công nghiệp (thuật ngữ tiếng Anh là Radiography Testing – ký hiệu là RT). Nó đang ngày càng trở nên hữu hiệu và là sự lựa chọn của nhiều ngành công nghiêp trong việc kiểm tra chi tiết trên công trình yêu cầu độ an toàn cao. Xuất phát từ thực tế đó, luận văn này muốn trình bày khái quát về nguyên lý cơ bản của phương pháp chụp ảnh phóng xạ và ứng dụng khác nhau trong việc kiểm tra khuyết tật trong các thành phần công nghệ. Do đó bố cục của luận văn gồm ba phần chính : Phần I : Tổng quan lý thuyết : gồm 4 chương. Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 4 Chương I : Tổng quan về tia X và phương pháp chụp ảnh phóng xạ. Chương II : Các thiết bị dùng trong chụp ảnh phóng xạ. Chương III : Quá trình xử lý phim, và phương pháp nhận dạng khuyết tật. Chương IV : Ứng dụng và đánh giá an toàn trong chụp ảnh bức xạ. Phần II : Phần thực nghiệm và kết quả. Phần III : Kết luận Tài liệu tham khảo. Phụ lục. Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 5 PHẦN I : TỔNG QUAN LÝ THUYẾT. CHƯƠNG I : TỔNG QUAN VỀ TIA X VÀ PHƯƠNG PHÁP CHỤP ẢNH PHÓNG XẠ. I. GIỚI THIỆU CHUNG I.1. Định nghĩa và tầm quan trọng của NDT I.1.1. Định nghĩa và bản chất của NDT Kiểm tra không phá huỷ là sử dụng các phương pháp vật lý để kiểm tra phát hiện các khuyết tật bên trong cấu trúc vật liệu, các sản phẩm, các chi tiết máy...mà không làm ảnh hưởng đến khả năng hoạt động và chất lượng của chúng. I.1.2. Tầm quan trọng của NDT Phương pháp kiểm tra không phá huỷ đóng một vai trò quan trọng trong việc kiểm tra chất lượng sản phẩm. NDT cũng được sử dụng trong tất cả các công đoạn của quá trình chế tạo mỗi sản phẩm. Sử dụng các phương pháp NDT có hiệu quả trong các công đoạn của quá trình chế tạo sản phẩm như : Tăng mức độ an toàn và tin cậy của sản phẩm khi làm việc. Làm giảm sản phẩm phế liệu và đảm bảo chất lượng của vật liệu, từ đó giảm giá thành sản phẩm. Ngoài ra NDT được sử dụng rộng rãi trong việc kiểm tra thường xuyên hoặc định kỳ chất lượng của các thiết bị máy móc và các công trình trong quá trình vận hành. Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 6 I.2. Các phương pháp NDT I.2.1. Phương pháp kiểm tra bằng mắt.(Visual testing - VT) : Kiểm tra bằng mắt là một trong những phương pháp phổ biến và hiệu quả nhất của phương pháp kiểm tra không phá hủy. Đối với phương pháp này thì bề mặt của vật thể kiểm tra cần phải có đủ độ sáng và tầm nhìn của người kiểm tra phải thích hợp. Các thiết bị, dụng cụ được trang bị đầy đủ và người kiểm tra phải qua lớp tập huấn. I.2.2. Phương pháp kiểm tra bằng dòng điện xoáy(Eddy current testing - ET) : Phương pháp này dùng phát hiện các khuyết tật trên bề mặt, phân loại vật liệu, để đo những thành mỏng từ một mặt … và một vài ứng dụng khác để đo độ sâu lớp thấm. Phương pháp này kiểm tra rất nhanh, có thể tự động hóa được. I.2.3. Phương pháp kiểm tra bằng chụp ảnh phóng xạ(Radiographic testing - RT) : Phương pháp kiểm tra bằng chụp ảnh phóng xạ được dùng để xác định khuyết tật bên trong của nhiều loại vật liệu và có cấu hình khác nhau. Đây là phương pháp chụp ảnh bằng các tia X hoặc gamma. I.2.4. Phương pháp kiểm tra bằng siêu âm (Utransonic teshing - UT) : Kiểm tra vật liệu bằng siêu âm là một trong nhiều phương pháp kiểm tra không phá huỷ, sóng siêu âm có tần số cao được truyền vào vật liệu cần kiểm tra. I.2.5. Phương pháp kiểm tra bằng bột từ. (Magnetic particle testing - MT) : Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 7 Phương pháp này được dùng để kiểm tra các vật liệu dễ nhiễm từ. Nó có khả năng phát hiện được những khuyết tật hở ra trên bề mặt và ngay sát bề mặt. I.2.6. Phương pháp kiểm tra thẩm thấu lỏng.(Penetrant Testing – PT) : Phương pháp này dùng kiểm tra những bất đồng nhất trên bề mặt như : Các vết nứt, rỗ khí, chồng mép, các lỗ rò rỉ. Phương pháp này rẻ tiền, dễ áp dụng, kiểm tra nhanh, thiết bị gon nhẹ. II. TIA X VÀ CHỤP ẢNH PHÓNG XẠ II.1. Tia X II.1.1. Cơ sở hình thành Roentgen tên đầy đủ là Wihelm Conrad Roentgen, sinh năm 1845 tại lenep-CHLB Đức Năm 1895 Roentgen đã phát hiện ra bức xạ tia X trong lúc ông đang nghiên cứu hiện tượng phóng điện qua không khí. Trong một thời gian thí nghiệm trên các loại tia mới và bí ẩn này thì Roentgen đã chụp được một bức ảnh bóng của các vật thể khác nhau gồm những hộp đựng các quả cầu và một khẩu súng ngắn nhìn thấy được rõ ràng. Những bức ảnh bóng này đã đánh dấu sự ra đời của phương pháp chụp ảnh bức xạ. Trong khoảng một năm sau, khi Roentgen đã phát hiện ra bức xạ tia X thì phương pháp chụp ảnh bức xạ được áp dụng để kiểm tra mối hàn. Năm 1913 Collidge đã thiết kế một ống phát bức xạ tia X mới. Thiết bị này có khả năng phát phát bức xạ tia X có năng lượng cao hơn và có khả năng xuyên sâu hơn. Năm 1917 phòng thí nghiệm chụp ảnh bức xạ bằng tia X đã được thiết lập tại Royal Arsenal ở Woolwich. Bước phát triển quan trọng tếp theo, vào năm 1930 khi hải quân Mĩ đồng ý dùng phương pháp chụp ảnh bức xạ để kiểm tra các mối hàn của nồi hơi. Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 8 Phương pháp chụp ảnh phóng xạ không những được ứng dụng trong nghành công nghiệp hàng không, mà còn mở rộng sang các lĩnh vực khác như kiểm tra các mối hàn trong nhà máy điện, các nhà máy luyện kim, các cấu trúc của thiết bị vận chuyển. II.1.2. Tính chất của tia X và bức xạ gamma. Bức xạ tia X là dạng bức xạ điện từ giống như ánh sáng. Giữa tia X và ánh sáng thường chỉ khác nhau về bước sóng. Trong kiểm tra vật liệu bằng chụp ảnh bức xạ thường sử dụng bức xạ tia X có bước sóng từ 10-2 0 A đến 10 0 A (1 0A = 10-10 m). Tần số dao động riêng ν, bước sóng xác định tính chất đặc trưng của bức xạ lan truyền trong không gian λ với tốc độ ánh sáng c liên hệ với nhau theo : λ = c/ν. Khi giảm bước sóng λ năng lượng bức xạ E tăng lên. Do vậy tính chất hạt trội hơn tính chất sóng nên khả năng đâm xuyên mạnh hơn Bức xạ tia X và gamma là bức xạ điện từ giống như ánh sáng, nên có những tính chất giống nhau như :  Khi bức xạ tia X hay gamma chiếu qua không nhìn thấy được, nên không cảm nhận được bằng giác quan của con người.Vì vậy chúng gây nguy hại cho tế bào sống  Chúng làm cho các chất phát huỳnh quang. Các chất phát huỳnh quang đó là kẽm sulfide, canxi tungstate, kim cương, barium, thallum được kích hoạt natri iodide.  Chúng gây sự ion hoá, chúng có thể tách các electron ra khỏi các nguyên tử khí để tạo các ion dương, ion âm.  Chúng tuân theo định luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách. Đó là, cường độ bức xạ tia X hoặc gamma tại một thời điểm bất kỳ tỷ lệ Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 9 với bình phương khoảng cách từ nguồn đến điểm đó được tính theo công thức : ( I = 1/r2 ). o Với I: cường độ bức xạ, r : khoảng cách.  Chúng truyền theo một đường thẳng, là dạng sóng điện từ nên có thể bị phản xạ, khúc xạ, nhiễu xạ.  Chúng có thể xuyên qua những vật liệu mà ánh sáng không thể xuyên qua được. Độ xuyên sâu phụ thuộc vào năng lượng của bức xạ, mật độ, chiều dày của vật liệu  Chúng tác động lên lớp nhũ tương film. II.1.3. Tác hại của tia X : Khi tia X đi vào cơ thể, không phải tất cả đều ra khỏi được, mà một số tia X bị mất do cơ thể người hấp thụ. Những tia X bị mất đi có thể có năng lượng rất lớn, nó đi qua cơ thể và giải phóng tất cả các năng lượng của nó. Năng lượng này được chuyển thành electron gây nhiều tổn thương cho cơ thể con người trong một vùng hẹp như : ion hoá môi trường mà nó đi qua, phá huỷ các ADN của tế bào. II.1.3. Định luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách : Cường độ bức xạ biến thiên theo tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách. Định luật này được minh họa qua ví dụ cụ thể dưới đây : Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 10 Hình 1.1 : Sơ đồ minh họa định luật tỷ lệ với bình phương khoảng cách. Gọi A là nguồn phát bức xạ, B là khe hở, C1, C2 là bề mặt ghi nhận. Khi nguồn phát bức xạ có cường độ không đổi, đi qua khe hở B có diện tích là 4cm2, rồi đi đến bề mặt ghi nhận C1 cách nguồn 12cm, khi di chuyển từ C1 đến C2 thì bề mặt ghi nhận tại C2 cách nguồn là 24cm, lúc này chùm tia bức xạ có diện tích bằng 16 cm2. Diện tích này lớn bằng bốn lần diện tích tại C1. Vì vậy, ta có bức xạ trên 1cm2 ở bề mặt ghi nhận tại điểm C2 chỉ bằng ¼ bức xạ trên 1cm2 ở bề mặt ghi nhận tại điểm C1. Đối với chụp ảnh bức xạ thì định luật tỷ lệ với bình phương khoảng cách rất quan trọng. Phim được ghi nhận một suất liều chiếu hoặc liều chiếu nhất định để tạo ra một ảnh chụp bức xạ trên phim có độ đen theo ý muốn. Nếu khoảng cách từ nguồn đến phim thay đổi thì liều chiếu cũng bị thay đổi theo định luật tỷ lệ với bình phương khoảng cách. Với ví dụ trên, để liều chiếu thích hợp tại C2 như tại C1 thì phải tăng bức xạ lên 4 lần sẽ tạo ra một ảnh bức xạ trên phim tại C2 có độ đen bằng với độ đen của ảnh tại C1. Trong thực tế, ta có thể tăng thời gian chiếu hoặc cường độ bức xạ lên. Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 11 Định luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách được biểu diễn qua công thức sau : ( )( ) 2 1 2 2 2 1 rI I r = r1, r2 : là khoảng cách từ nguồn C1 đến C2. I1, I2 : là cường độ bức xạ tại C1, C2. Lại có : 1 1 1I E = , 2 2 1I E = E1, E2 : là liều chiếu tại C1 , C2. Nên ta có : 2 1 E E = ( ) ( ) 2 1 2 2 2 1 rI I r = , ( ) ( ) 2 1 1 2 2 2 2 1 rI D I Dr = = Với D1, D2 : là suất liều chiếu tại khoảng cách r1 , r2 tính từ nguồn phóng xạ. Định luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách cũng có thể được trình bày theo cách khác nhằm giúp cho việc an toàn và bảo vệ chống bức xạ khi làm việc trong vùng có phóng xạ. Định luật tỷ lệ nghịch với bình phương khoảng cách theo dạng này được biểu diễn theo công thức D1/D2 = (r2)2/(r1)2. Trong đó, D1, D2 là suất liều chiếu tại khoảng cách r1 và r2 tính từ nguồn phóng xạ. D1 và D2 ; r1 và r2 cũng có cùng một đơn vị. Điều này có nghĩa là sự nguy hiểm của phóng xạ (suất liều chiếu) sẽ giảm xuống rất nhanh khi ta đứng ở một khoảng cách xa nguồn phóng xạ. Ví dụ như, suất liều chiếu đối với một nguồn phóng xạ ở khoảng cách 10m tính từ nguồn bằng (1/102 = 1/100) suất liều chiếu của nguồn đó tại khoảng cách 1m tính từ nguồn. Đây là một cách thực hiện đơn giản nhất để đảm bảo có thể giữ cho một người làm việc với các nguồn phóng xạ hở nhận một liều chiếu thấp Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 12 II.2. Quá trình tương tác của bức xạ với vật chất Khi một chùm bức xạ tia X hoặc tia gamma đi qua vật chất thì có một số tia được truyền qua, một số tia bị hấp thụ và một số tia bị tán xạ theo nhiều hướng khác nhau. Sự hiểu biết về những hiện tượng này là rất quan trọng cho một nhân viên chụp ảnh bức xạ và những đặc trưng khác nhau của nó được trình bày dưới đây : II.2.1. Hiện tượng hấp thụ : Một chùm tia X hoặc gamma đi qua vật chất thì cường độ của chúng bị suy giảm. Hiện tượng này gọi là sự hấp thụ bức xạ tia X hoặc gamma trong vật chất. Tính chất này của bức xạ tia X hoặc gamma được sử dụng trong chụp ảnh bức xạ công nghiệp. Nếu có một khuyết tật nằm bên trong cấu trúc của mẫu vật, thì có sự thay đổi về bề dày hoặc mật độ mẫu vật đó, và nó tác động đến cường độ của chùm bức xạ truyền qua, chùm bức xạ truyền qua này được ghi nhận trên phim tạo ra một ảnh chụp bức xạ trên phim. Xét một ví dụ cụ thể : Lấy một mẫu vật dạng tấm có bề dày là “X” và truyền một chùm bức xạ đơn năng song song qua nó. Gọi I0 là cường độ bức xạ tới, I là cường độ bức xạ truyền qua thì ta có biểu thức : 0 *I eI µ χ−= trong đó µ được gọi là hệ số hấp thụ tuyến tính. Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụng kỹ thuật chụp ảnh phóng xạ tia X để kiểm tra khuyết tật trong kim loại dạng ống và hình chữ T. SVTH : Trần Thị Thủy Trang 13 Hình 1.2 : Quá trình hấp thụ bức xạ. Cường độ của chùm bức xạ tia X hoặc gamma đi qua vật chất bị suy giảm, và nó được thể hiện qua ba hiệu ứng : Sự hấp thụ quang điện, sự hấp thụ và tán xạ Compton, sự tạo cặp. Để đưa vào tính toán cho tất cả các hiệu ứng này thì giá trị µ có thể được viết như sau : µ = τ + σ + χ trong đó : Hệ số suy giảm tuyến tính µ là tổng các hệ số tương tác tuyến tính do hiệu ứng quang điện τ, tán xạ compton σ và quá trình tạo cặp χ Như vậy µ đặc trưng cho sự suy giảm tương đối của cường độ bức xạ khi đi qua chiều dày hấp thụ 1 cm. Độ lớn nghịch đảo1/µ được gọi là quãng đường tự do của lượng tử trong vật chất. Trong vùng bức xạ roentgen và gamma năng lượng thấp, giá trị µ được xác định trên cơ sở hiệu ứng quang điện và mất đi khi năng lượng tăng. Tại vùng năng lượng bức xạ γ nhỏ hơn 1 MeV, quá trình tương tác cơ bản là tán xạ compton, hệ số µ ít phụ thuộc vào năng lượng. Trong các chất có nguyên tử số Z lớn thì tác động quang điện và tạo cặp đến µ lớn. Trong vùng năng lượng chỉ tồn tại tán xạ compton thì µ ít phụ thuộc vào Z. II.2.1.1. Sự hấp thụ quang điện. Khi tương tác quang điện với nguyên tử chất hấp thụ, lượng tử (photon) có năng lượng tương đối thấp (nhỏ hơn 1 MeV) truyền toàn bộ năng lượng cho electron ở lớp trong – thường là lớp K. Do nhận được năng lượng bằng hiệu số giữa năng lượng lượng tử với năng lượng liên kết trong nguyên tử, electron bị bứt ra khỏi nguyên tử. Electron này được gọi là photoelectron (điện tử quang) và dịch chuyển trong chất hấp thụ gây ra ion hóa thứ cấp và kích thích. Khi liên kết giữa các electron càng bền vững thì hiệu ứng quang điện càng mạnh. Hiệu ứng quang điện hầu như chỉ xảy ra trong các chất có nguyên tử lượng và nguyên tử số cao, vì vậy chì Pb được dùng làm chất che Khóa luận tốt nghiệp : Ứng dụn
Luận văn liên quan