Đề tài Nguyên tắc chung và thực nghiệm của các phương pháp biến điệu các phổ quang học

Nguyên tắc chung và thực nghiệm của các phương pháp biến điệu các phổ quang học GVHD: GS.TS LÊ KHẮC BÌNH HV: NGUYỄN THỊ THU TRANG  Hệsốphản xạ R(λ): Hệ sốphản xạ phụ thuộc vào bước sóng ánh sáng tới, sựphụ thuộc đó R= f(λ ), gọi là phổ phản xạ  Hệ số truyền qua T(λ): Hệ số truyền qua phụ thuộc vào bước sóng ánh sáng tới, sự phụthuộc đó T = f(λ ), gọi là phổ truyền qua 1. Nguồn sáng 2. Hệđơn sắc 3. Vị trí đặt mẫu 4. Detector 5. Computer NGUYÊN TẮC CHUNG Phương pháp quang phản xạ Phương pháp quang phản xạ Phương pháp biến điệu điện trường Thực ngiệm của cách phương pháp biến điệu các phổ quang học Để nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của một chất, ta có thể khai thác các phổ biến điệu theo hai cách sau: 1 . Tính toán phổ phản xạ biến điệu lý thuyết rồi so sánh với phổ phản xạ biến điệu thực nghiệm Phổ phản xạ biến điệu lý thuyết được như sau  Từ các phổ n(l) và k(l) đã đo được của vật liệu khi không có nhiễu loạn tính được các hệ số Seraphin a(l) và b(l)    R R r i r r i i      ( , ) ( , )              2 30 2 2 0 2 0 2 2 0 2 2 2 2 n n(n n n n n n n ) [( ) ][( ) ][ ]               2 30 2 2 0 2 0 2 2 0 2 2 2 2 n n n n n n n n ( ) [( ) ][( ) ][ ]  Tùy theo nhiễu loạn , từ lý thuyết tính được Der và Dei.  Thay a , b , Der và Dei vào công thức được phổ lý thuyết 2. Tính r và i từ phổ phản xạ biến điệu đo được và từ các phổ n và k không nhiễu loạn rồiù so sánh với các dạng đường lý thuyết của r và i được tính dựa vào ảnh hưởng của các tác nhân ngoài đến các thông số quang của vật liệu .     )13()13( 2 1 2222 n R R nnr     )13()13( 2 1 2222 nn R R ni trong đó  được tính từ phổ R/R nhờ hệ thức Kramers - Kronig      0 22 ' ' )'(/)'( )(       d RR Phân tích phổ quang phản xạ của hợp chất bán dẫn Alx Ga 1-x As/ Ga As Tài liệu tham khảo  J.Misiewicz, Electromodulation- absorption type spectroscopy of semiconductor structure, Wroclaw University of Technology,2009